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散的，需要凹面镜来反射，怎么看都像是老美给出的技术陷阱。
肯定有别的办法……
湾岛人的职务都不高，好在都是一线的。
小赵老师试探来试探去，他们对制程这块确实没太多研究，每天的工作也是公式化的，不过有个好处是，可以带来规范的车间管理。
<div class="contentadv"> 再问道芯片晶体管结构，小赵老师明悟了。
想了想也难怪，现在i线386纳米光源还没利用到极限，Intel目前量产的386处理器还用的1.5微米的制程，但386纳米光源的极限制程在600到800纳米之间。
主要芯片加工厂在制程上，最需要解决的是合适的半导体结构，多是在晶体管物理层面上探索，使之更加适用于光刻而保证良品率。
比如现在德州仪器所用的深沟槽，基底离子注入衬垫来解决800纳米制程带来的晶体管漏电问题，实际上也就是对本身的PN结构一种改良，并没有涉及到效应晶体管结构的革命，而FinFET鳍片式场效应晶体管才是突破。
而制程一直到65纳米之后，光刻机光源才开始制约芯片制程的提高，到那个时候，人们才开始研究，如何突破现有波长的光源理论制程的极限。
多重曝光技术也就是从那个时候开始的。
小赵老师想明白这件事，心下对101所芯片制程的发展思路一下子放开了。
FinFET场效应晶体管芯片他研究的够深入了，可以直接拿来上800纳米制程，计划三年内进入商用化。
同时在多重曝光技术上加大投入，六年内，300纳米制程商用化。
为此榨干PA2000光刻机最后的性能，386纳米光源的极限也就差不多了，最多到200纳米。
而六年的时间，准备将氟化氪光源、氟化氩光源装到PA2000上，或者装到我们自己的光刻机上。
130纳米，90纳米，65纳米，45纳米，28纳米，14纳米……
一直到x光终结者光源上线。
漫长的二十年芯片发展计划……
次日，101所激光研究室，小赵老师亲自授课。
“相位差恒定，振动方向一致，就会产生干涉，对吧！”
“当锁定不同激光纵模即频率之间的相位差后，是不是就会将大部分能量集中到干涉增强处？”
“你们看，这是普通未锁定相位的光强时域分布，这是锁定后的！”
小赵老师短短几句话，就给卢怡榕团队打开了新思路，她们急忙拿起笔来计算。
数十分钟后，卢怡榕神色激烈的对小赵老师说：“通过干涉这种方法，可以用多个激光发生器发出干涉，将脉冲宽度压缩到皮秒量级，甚至到亚飞秒量级，功率达到10^9W量级，赵所长，你真的神了！”
赵国庆摇摇头，拿下卢怡榕手上的笔，在纸上画了一个草图。
“这是振荡器，这是展宽器，这是放大器，这是压缩器，伱看光线先展宽、然后放大、再压缩成高功率短脉冲的激光……”
“……”
小卢同学已经麻木了。