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第123章 多重曝光技术 遥遥领先
跟着何振华干活的，不光有贾鹏飞等人，还有EDA软件后端物理设计组杨博超组内的人员。
后端物理设计，跟芯片制程息息相关，而整个EDA软件设计的最终结果，并不是芯片图纸，而是掩膜版图纸的导出。
小赵老师很不想何教授日子过舒坦，希望他在工艺探索上，为芯能加工厂再加把力气。
在制造车间，赵国庆拿出两张纸。
他指着放在桌面上的纸对何教授说：“这是待曝光的晶片，我手上的是掩膜板。”
赵国庆把掩膜版放到晶片上面，仿着光刻的路线，在下面纸上画一条线。
“这一面曝光60%”
又把掩膜版放到另一边，在下面的纸上画一条线。
“另一面曝光60%”
两条线之间，一条细长的线，被赵国庆用折线拉出来，上面标注着：“曝光120%。”
啥意思，何振华有点懵，曝光120%，那就是完全曝光了，而旁边未完全曝光的光刻胶还在起着保护作用。
何振华意识到，这么简单的一张图，有着了不得的东西，他疑惑的问：“国庆，这……什么意思？”
赵国庆在那条缝隙上花了一个无穷小的标记，对何振华说：“你品，你细品！”
何振华目光渐渐从疑惑变得清明，他的呼吸有些粗重起来。
简简单单一幅画，直接把光衍射这个桎梏给打破了。
何振华语气急促，面色因兴奋而露出潮红，说：“通过多重不均匀曝光，我们可以探索更先进的制程！”
赵国庆看着何振华，也不知道说什么了，反应有点慢啊，也不知道他能不能胜任。
赵国庆说：“怎么样，有没有兴趣？”
何振华一脸难以置信的看着赵国庆，说：“你这家伙，肚子里还有多少货，就不能一次性倒出来！”
赵国庆笑道：“倒出来有用吗？伱们清大微电子连光刻胶都涂不匀，那光刻机，我都懒得说，都八十年代了，还用手动校准，曝光过程中，你们没办法精准测量，60%这个精准度，你们能做到吗？”
何振华很不服气，说：“再怎么说，我们也解决了一微米制程，Intel去年发布的386还是一点五微米的制程，比我们还落后一代！”
“你就自嗨吧！”赵国庆摇摇头说：“人家是商用化制程，良品率不在90%以上，你那个一微米最多是实验室制程，一片晶圆只有一两块芯片能用的，良品率是个位数，四舍五入趋向于于零的那种。”
即便是芯能现在也能造一微米的芯片，但跟Intel的一点五微米还不能比。
CPU结构中寄存器、缓存、逻辑运算单元……制造的晶体管类型都不一样，整个过程需要几十道工序，能曝光十几次，蚀刻数次，还能达到九成的良品率，这工艺已经远超我们了。
再加上Intel在芯片设计、制造上面的积累，人家一点五微米的支持，集成的晶体管还超过我们一微米制程的芯片。
“要认识差距，不能自嗨，何教授，路子给你了，我看好你，你一定会成功的！”
“……”
“我可以写这方面的论文吗？”
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